SSD-urile (Solid State Drive) sunt foarte rapide deoarece nu există componente în mişcare, dar dezavantajul acestora este capacitatea. Intel şi Samsung doresc să rezolve această problemă cu ajutorul tehnologiei 3D NAND, asta însemnând adăugarea mai multor straturi pe fiecare cip de memorie. Următoarea generaţie de memorii, Samsung 850 Evo vor avea capacităţi de până la 1TB.
Crossbar este o companie înfiinţată în 2010, care investeşte într-o tehnologie nouă numită RRAM (Resistive Random Access Memory). Acest tip de memorie este nevolatila, adică informaţia se menţine şi după oprirea alimentării. Abordarea celor de la Crossbar constă în crearea unei arhitecturi cubice, prin aşezarea memoriilor RRAM una peste alta, extinzându-se în trei dimensiuni. Teoretic se poate integra 1TB de memorie într-un singur cip. Dar aici apare o problemă, prin aşezarea memoriilor atât de aproape una de cealalta, apar curenţi de scurgere care cresc consumul de energie şi de asemenea limitează dimensiunile matricei.
Crossbar a venit deja cu o soluţie la această problemă şi anume “1 Transistor Driving n Resistive memory cell,” sau pe scurt 1TnR. Asta înseamnă că un tranzistor leagă 2000 de celule de memorie. Aceasta arhitectură elimina problema curenţilor de scurgere şi face posibilă dezvoltarea unor memorii mari. Arhitectura 100 de milioane de ciclii de utilizare şi îşi poate schimba starea în 50 de nanosecunde, ceea ce face această tehnologie să fie utilizabila pentru consumatori.
Aşadar tehnologia RRAM creată de Crossbar va face posibilă integrarea unor memorii foarte mari într-un cip de dimensiunile unui timbru. Spre dezamăgirea noastră, această tehnologie va fi disponibilă consumatorilor cel mai probabil în 2016.
[Sursa Digital Trends]
